Розраховано вплив структурних параметрів напівмагнітних напівпровідникових квантових ям і зов- нішнього магнітного поля на енергетичні рівні та інтенсивності оптичних переходів. Досліджено ефект відштовхування і перетину екситонних рівнів у магнітному полі. Розглянуто систему кванто- вих ям на основі (CdMn)Te. У такій системі спостерігається перетин енергетичних рівнів екситонів, які локалізовані в різних квантових ямах. У цьому разі зростання магнітного поля призводить до зміни локалізації основного екситонного стану з однієї ями до іншої.